STD3NM60-1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
- 系列：MDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 25V
- 功率_最大：42W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
STD3NM60N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 系列：Mdmesh™ II
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 1.65A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：188pF @ 50V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
STD3NM60N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 系列：Mdmesh™ II
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 1.65A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：188pF @ 50V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
STD3NM60N详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
- 系列：Mdmesh™ II
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 1.65A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：188pF @ 50V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
STD3NM60T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
- 系列：MDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 25V
- 功率_最大：42W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
STD3NM60T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
- 系列：MDmesh™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 25V
- 功率_最大：42W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 274 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 接口 - 传感器和探测器接口 STMicroelectronics 16-VQFN IC SMART SENSOR ASSP W/PGA 16QFN
- 接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 11PS 10.16MM
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
- 嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 32-UFQFN 裸露焊盘 MCU 8BIT 16K FLASH 32UFQFPN
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 180UH 1.4A SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 27.4K OHM 1/4W 0.1% 1206
- 接口 - 传感器和探测器接口 STMicroelectronics 16-VFQFN 裸露焊盘 IC SMART SENSOR II 2CH 16QFN
- 接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 12PS 10.16MM
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 2.2UH 8.2A SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 287 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 17PS 10.16MM
- 嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 48-LQFP MCU 8BIT 64K FLASH 48LQFP
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- 二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 DIODE ULTRA FAST REC DPAK
19166203057 
18922805453 
0755-83798683 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82533534 
0512-67241533 
010-62962871、 
18927479189 
13410941925 
0755-83242658 
13510131896 
0755-18503085 
15112667855 
0755-89697985 
